长江存储成功研发128层闪存国产存储器迈重要一步

发布时间：2020年04月13日 21:31 来源：中国新闻网

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　　中新网北京4月13日电 (记者李晓喻)长江存储科技有限责任公司13日宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号：X2-6070)研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

　　长江存储是中国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉，总投资240亿美元。

　　作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC，是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。

　　据介绍，每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

　　长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。”

　　闪存和SSD(固态硬盘)领域市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本，更适合作为大容量存储介质。比如可以作为服务器和数据中心的存储介质，适合AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”(完)

(编辑：裴春梅)

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